HomeTechnologyKioxia เปิดตัว e-MMC Ver. 5.1 ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่นใหม่

Kioxia เปิดตัว e-MMC Ver. 5.1 ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่นใหม่

Logo

อุปกรณ์ใหม่มีหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นใหม่ที่ปรับปรุงประสิทธิภาพการอ่านและเขียนข้อมูล

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–27 กันยายน 2023

Kioxia Corporation ซึ่งเป็นบริษัทชั้นนำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศการสุ่มตัวอย่าง[1]ของ JEDEC e-MMC Ver. 5.1[2] ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังรุ่นใหม่ที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้นสำหรับการใช้งานของผู้บริโภค ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ได้รวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นใหม่ของบริษัท[3] และตัวควบคุมไว้ในแพ็กเกจเดียว ซึ่งช่วยลดภาระงานของโปรเซสเซอร์และปรับปรุงความสะดวกในการใช้งาน จะมีการวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์ทั้ง 64 และ 128 กิกะไบต์ (GB)

Kioxia: e-MMC Ver. 5.1 Embedded Flash Memory Device (Photo: Business Wire)

Kioxia: e-MMC Ver. 5.1 อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง (รูปภาพ: Business Wire)

เนื่องจากตลาดยังคงเปลี่ยนมาใช้ UFS[4] จึงมีบางกรณีที่ e-MMC ยังคงใช้งานได้ ซึ่งรวมถึงสินค้าอุปโภคบริโภคที่มีความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลระดับกลาง เช่น แท็บเล็ต คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล อุปกรณ์ ณ จุดขาย และอุปกรณ์มือถือแบบพกพาอื่นๆ ตลอดจนสมาร์ททีวีและ NIC อัจฉริยะ Kioxia ยังคงเสริมความแข็งแกร่งในตำแหน่งผู้นำตลาดด้วยการนำเสนอกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่กว้างขวางและมีประสิทธิภาพสูง และขยายตัวเลือกที่มีให้สำหรับการใช้งานเหล่านี้ อุปกรณ์ Kioxia ใหม่ปรับปรุงประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลตามลำดับและแบบสุ่มประมาณ 2.5 เท่า และประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบสุ่มประมาณ 2.7 เท่า เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า[3] นอกจากนี้ เทราไบต์ที่เขียน (TBW)[5] ได้รับการปรับปรุงประมาณ 3.3 เท่า เมื่อเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้า ซึ่งสอดคล้องกับการตั้งค่าพื้นที่ที่ได้รับการปรับปรุง[6] สำหรับพื้นที่ e-MMC ทั้งหมด

ขณะนี้ Kioxia กำลังสุ่มตัวอย่างอุปกรณ์ e-MMC รุ่นใหม่ โดยคาดว่าจะมีการผลิตจำนวนมากในฤดูใบไม้ผลิปี 2024

หมายเหตุ:

[1]: อุปกรณ์ใหม่ล่าสุดของบริษัทรองรับในสองความจุได้แก่ 64GB และ 128GB การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ 64GB เริ่มต้นในเดือนนี้ โดยอุปกรณ์ 128GB มีกำหนดจัดส่งหลังเดือนตุลาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
[2]: e-MMC (การ์ดมัลติมีเดียแบบฝัง): หนึ่งในข้อกำหนดมาตรฐานของหน่วยความจำแฟลชแบบฝังที่กำหนดโดย JEDEC ผลิตภัณฑ์ใหม่รองรับการจัดคิวคำสั่งและฟังก์ชันการป้องกันการเขียนข้อมูลที่ปลอดภัยซึ่งระบุไว้เป็นตัวเลือกใน JEDEC Ver. 5.1.
[3]: เปรียบเทียบกับอุปกรณ์รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia “THGAMSG9T24BAIL”, “THGAMST0T24BAIL”
[4]: Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับประเภทผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการสื่อสารสองทางเต็มอัตรา (full duplexing) ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโปรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS
[5]: TBW หรือเทราไบต์ที่เขียนจะวัดจำนวนการเขียนข้อมูลสะสมที่ไดรฟ์คาดว่าจะเสร็จสิ้นตลอดอายุการใช้งาน
[6]: หากตั้งค่า Enhanced Area ความจุที่ผู้บริโภคสามารถใช้งานได้ทั้งหมดที่กำหนดค่าได้จะลดลง

ความเร็วในการอ่าน เขียนข้อมูลและ TBW เป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับในสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia รับประกันทั้งความเร็วในการอ่านหรือเขียนข้อมูลหรือ TBW ในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่าน เขียนข้อมูล และ TBW อาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียนข้อมูล

โปรดทราบว่าความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์ Kioxia จะถูกระบุโดยอิงตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกที่เสียหาย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นบริษัทชั้นระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายนปี 2017 บริษัท Toshiba Memory ได้แยกตัวออกจากบริษัท Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบหน่วยความจำที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าแก่สังคม BiCS FLASH™ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในการใช้งานที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ยานยนต์ และศูนย์ข้อมูล

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53560476/en

รายชื่อติดต่อ

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://business.kioxia.com/en-jp/buy/global-sales.html

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
แผนกวางแผนกลยุทธ์การขาย
Satoshi Shindo
โทร: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation

 

LEAVE A REPLY

Please enter your comment!
Please enter your name here

- Advertisment -

Most Popular

Recent Comments