Tag: 1200v

Toshiba เริ่มจัดส่งตัวอย่างขั้นทดสอบของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) 1200V แบบดายเปลือยที่มีความต้านทานขณะทำงานต่ำและมีความเสถียรสูงสำหรับใช้ในอินเวอร์เตอร์ฉุดลากยานยนต์

Toshiba Starts Test-Sample Shipments of a Bare Die 1200V SiC MOSFET with Low On-Resistance and High Reliability for Use in Automotive Traction Inverters

การเพิ่ม 1200V ของ Toshiba ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด SiC Schottky Barrier รุ่นที่สามจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงในอุปกรณ์ไฟฟ้าทางอุตสาหกรรม

Toshiba’s 1200V Additions to its Lineup of Third-Generation SiC Schottky Barrier Diodes Will Contribute to High Efficiency in Industrial Power Equipment