มอสเฟตกำลังชนิด N-channel 80V ของ Toshiba พร้อมระบบการทำงานเจเนอเรชันใหม่ล่าสุด ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการจ่ายไฟ

0
118

Logo

– ทั้งยังขยายไลน์สินค้าของมอสเฟตกำลังซีรีส์ U-MOS X-H ให้ใหญ่ขึ้น –

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–30 มีนาคม 2563

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เพิ่มมอสเฟตกำลังชนิด N-channel ขนาด 80V ในมอสเฟตตระกูล “U-MOS X-H” ที่มาพร้อมระบบการทำงานเจเนอเรชันใหม่ล่าสุด มอสเฟตใหม่นี้เหมาะสำหรับใช้สลับการจ่ายไฟในอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้ในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20200329005003/en/

Toshiba: 80V N-channel power MOSFETs “U-MOS X-H series” (Photo: Business Wire)

Toshiba: มอสเฟตกำลังชนิด N-channel ขนาด 80V จากซีรีส์ “U-MOS X-H” (รูปภาพ: Business Wire)

ไลน์สินค้าที่ใหญ่ขึ้นประกอบด้วยรุ่น "TPH2R408QM" บรรจุในแพ็คเกจ SOP Advance ซึ่งเป็นประเภทติดตั้งบนพื้นผิว และรุ่น "TPN19008QM" บรรจุในแพ็คเกจ TSON Advance สำหรับการจัดส่งจะเริ่มต้นวันนี้

ค่า On-resistance ระหว่างขาเดรน-ซอร์ส ในผลิตภัณฑ์ U-MOS X-H ขนาด 80V ใหม่ ที่มาพร้อมระบบการทำงานเจเนอเรชันใหม่ล่าสุด ต่ำกว่าในผลิตภัณฑ์ซีรีส์ U-MOS VIII-H ขนาด 80V ที่มาพร้อมระบบการทำงานเจเนอเรชันปัจจุบันราว 40% นอกจากนี้การไหลของกระแส On-resistance จากขาเดรน-ซอร์ส รวมถึงคุณสมบัติของประจุขาเกท[1] ยังได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น[2] ด้วยการออกแบบโครงสร้างของอุปกรณ์ให้มีความเหมาะสม ทำให้เกิดเป็นผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มีค่ากำลังไฟฟ้าสูญเสียต่ำที่สุดของอุตสาหกรรม[3]

นอกจากนี้ Toshiba กำลังขยายไลน์ผลิตภัณฑ์ที่ลดการสูญเสียกำลังไฟเพื่อช่วยลดการบริโภคพลังงานของอุปกรณ์อีกด้วย

การใช้งาน

  • สลับการจ่ายไฟ (คอนเวอร์เตอร์ AC-DC ประสิทธิภาพสูง คอนเวอร์เตอร์ DC-DC และอื่น ๆ)
  • อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์ (ตัวขับมอเตอร์ และอื่น ๆ)

คุณลักษณะ

  • ค่ากำลังไฟฟ้าสูญเสียที่ต่ำสุดของอุตสาหกรรม[3] (จากการปรับปรุงการไหลของกระแส On-resistance จากขาเดรน-ซอร์ส และคุณสมบัติของประจุขาเกท[2])
  • ค่า On-resistance ที่ต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม[3] :
         RDS(ON)=2.43mΩ (สูงสุด) @VGS=10V (TPH2R40QM)
         RDS(ON)=19mΩ (สูงสุด) @VGS=10V (TPN19008QM)
  • ระดับอุณหภูมิระหว่าง channel สูง : Tch=175℃

คุณสมบัติจำเพาะ

(หากไม่ได้มีการระบุไว้ @Ta=25℃)

หมายเลขชิ้นส่วน

TPH2R408QM

TPN19008QM

ระดับค่าสูงสุดสัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าระหว่างเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

80

80

กระแสไฟที่ไหลผ่าน (DC) ID (A)

@Tc=25℃

120

34

อุณหภูมิ Channel Tch (℃)

175

175

คุณสมบัติ

ทางไฟฟ้า

ค่าความต้านทานระหว่างเดรน-ซอร์ส

RDS(ON) สูงสุด (mΩ)

@VGS=10V

2.43

19

@VGS=6V

3.5

28

ประจุขาเกทรวม (เกท-ซอร์ส บวก เกท-เดรน)

Qg typ. (nC)

87

16

ประจุสลับขาเกท Qsw typ. (nC)

28

5.5

ประจุขาออก Qoss typ. (nC)

90

16.5

ความจุตัวเก็บประจุขาเข้า Ciss typ. (pF)

5870

1020

แพ็คเกจ

ชื่อ

SOP Advance

TSON Advance

ประเภทขนาด (มม.)

5.0×6.0

3.3×3.3

เช็คสต็อก & ซื้อสินค้า

ซื้อออนไลน์

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:
[1] ประจุขาเกทรวม (เกท-ซอร์ส บวก เกท-เดรน) ประจุสลับขาเกท ประจุขาออก
[2] เมื่อเทียบกับรุ่น TPH4R008NH (ซีรีส์ U-MOS VIII-H) ผลิตภัณฑ์รุ่น TPH2R408QM มีค่า On-resistance ระหว่างขาเดรน-ซอร์ส x ประจุขาเกทรวมดีขึ้นราว 15% ค่า On-resistance ระหว่างขาเดรน-ซอร์ส x ประจุสลับขาเกทดีขึ้นราว 10% และค่า On-resistance ระหว่างเดรน-ซอร์ส x ประจุขาออกดีขึ้นราว 31%
[3] อ้างอิงผลสำรวจของ Toshiba เมื่อ 30 มีนาคม 2563

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับไลน์ผลิตภัณฑ์มอสเฟต Toshiba 12-300V ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

ตรวจสอบจำนวนผลิตภัณฑ์ใหม่ ณ แหล่งกระจายสินค้าออนไลน์ โปรดไปที่:
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPN19008QM.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและคุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาเกี่ยวกับบริการและข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบันในวันที่เผยแพร่เอกสารนี้ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2560 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

พนักงานจำนวน 24,000 คนทั่วโลกของเรามีความตั้งใจที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน บริษัทตั้งเป้าเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 7.5 แสนล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20200329005003/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp