โตชิบาเปิดตัวไดโอด TVS ที่เก็บประจุไฟฟ้าต่ำเหมาะสำหรับการป้องกันไฟฟ้าสถิตสำหรับ Thunderbolt 3 และสายสัญญาณความเร็วสูงอื่นๆ

0
36

Logo

โตเกียว–(บิสิเนสไวร์)–17 ต.ค. 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("โตชิบา") เริ่มจัดส่งไดโอด TVS ที่เก็บประจุไฟฟ้าต่ำสองตัว (ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต) ที่รองรับมาตรฐานการสื่อสารความเร็วสูงเช่น Thunderbolt 3, HDMI® 2.1 และ USB 3.1. “DF2B5M4ASL” รุ่นใหม่นี้รองรับแรงดันย้อนกลับสูงสุดที่ 3.6V และรุ่น “DF2B6M4ASL” ที่รองรับ 5.5V

ข่าวประชาสัมพันธ์นี้มีมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20191017005265/en/

Toshiba: Low capacitance TVS diodes "DF2B5M4ASL" and "DF2B6M4ASL" suitable for ESD protection for high speed signal lines. (Photo: Business Wire)

โตชิบา: ไดโอด TVS ที่เก็บประจุไฟฟ้าต่ำ "DF2B5M4ASL" และ "DF2B6M4ASL" สำหรับการป้องกันสายสัญญาณความเร็วสูง (Photo: บิสิเนสไวร์)

แท็บเล็ต พีซี แล็ปท็อป และเครื่องเล่นเกมนั้นลดเวลาในการถ่ายโอนข้อมูลวิดีโอหรือไฟล์ขนาดใหญ่โดยใช้มาตรฐานการสื่อสารความเร็วสูง 10Gbps หรือ 48Gbps  ด้วยการย่อขนาดของไอซีคอนโทรลเลอร์ที่ใช้ในการสื่อสารความเร็วสูงเหล่านี้ ทำให้ความทนต่อช่วงเคลื่อนไฟฟ้าสถิตลดลงและจำเป็นต้องปรับปรุงมาตรการจัดการกับไฟฟ้าสถิตและไฟกระชากจากจุดเชื่อมต่อ โดยหากขาดการปรับปรุงมาตรการจัดการจะทำให้เกิดข้อผิดพลาดที่สำคัญ เช่นการสื่อสารผิดพลาดและความเสียหายของไฟล์

นอกจากนี้ ชิ้นส่วนที่เชื่อมต่อกับสายการสื่อสารความเร็วสูงมีผลกระทบอย่างมากต่อสัญญาณ โดยชิ้นส่วนพาสซีฟบนแผงวงจร เช่นตัวเก็บประจุและตัวต้านทานสามารถบิดเบือนรูปคลื่นของสัญญาณได้

ผลิตภัณฑ์ใหม่ช่วยแก้ปัญหาเหล่านี้ด้วยการเก็บประจุที่ลดลงซึ่งเหมาะสำหรับการสื่อสารความเร็วสูง  นอกจากนี้ โดยการเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการ ผลิตภัณฑ์ใหม่สามารถมอบการเก็บประจุ (Typ.) 0.15pF ซึ่งต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ในปัจจุบันประมาณ 25% [1]  สิ่งนี้จะช่วยก่อให้เกิดวงจรที่มั่นคงในการสื่อสารความเร็วสูง

การประยุกต์ใช้งาน

· การป้องกันไฟฟ้าสถิตสำหรับสายสัญญาณความเร็วสูง (แท็บเล็ต พีซี แล็ปท็อป เกมคอนโซล AR และ VR ฯลฯ)

คุณสมบัติ

· การเก็บประจุไฟฟ้าต่ำ: Ct= 0.15 pF. (typ.)

· ระดับแรงดันไฟฟ้าสถิตสูง [2]:

VESD= ±16kV (DF2B5M4ASL)

VESD= ±15kV (DF2B6M4ASL)

· พื้นผิวและแพคเกจติดตั้งขนาดเล็ก: SL2 (รหัสแพคเกจ:. SOD-962, 0.62×0.32×0.3mm (typ.))

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(@Ta=25 ℃)

หมายเลขชิ้นส่วน

แพคเกจ

รูปแบบ

ระดับสูงที่สุด

แรงดันย้อนกลับสูงสุด

VRWM

max

(V)

การเก็บประจุไฟฟ้าทั้งหมด

Ct

@VR=0 V

(pF)

การทนทานแบบไดนามิก

RDYN

typ.

@IPP1=8 A

to IPP2=16 A

[3]

(Ω)

แรงดันหนีบ

VC

สูงสุด

@IPP=2 A

[4]

(V)

เช็คสต็อก

และซื้อสินค้า

ชื่อ

(รหัสแพคเกจ)

ขนาดปกติ

(mm)

แรงดันไฟฟ้าสถิตย์

VESD

[2]

(kV)

typ.

max

DF2B5M4ASL

SL2

(SOD-962)

0.62×0.32×0.3

สองช่องทาง

±16

3.6

0.15

0.2

0.7

15

ซื้อออนไลน์

DF2B6M4ASL

±15

5.5

0.15

0.2

0.7

15

ซื้อออนไลน์

หมายเหตุ:

[1] ผลิตภัณฑ์ในรุ่น DF2BxM4SL

[2] @IEC61000-4-2 (สัมผัส)

[3] พารามิเตอร์ Z0=50Ω, tp=100ns, tr=300ps ช่วงเฉลี่ย t1 = 30ns ถึง t2 = 60ns

[4] @ ขึ้นอยู่กับ IEC61000-4-5 8/20μs pulse

ติดตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ไดโอด TVS Diodes (ไดโอดป้องกันไฟฟ้าสถิต) ของโตชิบา

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/diode/esd-protection-diode.html

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมใช้งานของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ กรุณาไปที่:

DF2B5M4ASL

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.DF2B5M4ASL.html

DF2B6M4ASL

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.DF2B6M4ASL.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

ฝ่ายลูกค้าสัมพันธ์

ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก

โทร: + 81-3-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.htm

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

อิเล็กทรอนิกส์ของโตชิบาโตชิบารวมพลังของ บริษัท ใหม่เข้ากับภูมิปัญญาของประสบการณ์ นับตั้งแต่การเป็น บริษัท อิสระในเดือนกรกฎาคมปี 2017 เราได้ดำเนินการในกลุ่ม บริษัท อุปกรณ์ชั้นนำทั่วไปและเสนอลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเราในการแก้ปัญหาที่โดดเด่นในเซมิคอนดักเตอร์แยกระบบ LSI และ HDD

พนักงาน 22,000 คนทั่วโลกแบ่งปันความมุ่งมั่นในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ของเราและเน้นการร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ เราหวังว่าจะสร้างยอดขายต่อปีเกินกว่า 800 ล้านเยน (7 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) และเพื่อสนับสนุนอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูรุ่นแหล่งที่มาบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20191017005265/en/

สอบถามข้อมูลสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
ฝ่ายการตลาดดิจิตอล
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

NO COMMENTS

LEAVE A REPLY