Toshiba พัฒนาไดโอดรอยต่อชอทท์กี้กระแสย้อนกลับต่ำพร้อมเพิ่มสมรรถนะทางความร้อน

0
20

Logo

  • แพคเกจใหม่นี้ออกแบบมาให้ช่วยลดอุณหภูมิในส่วนของตัวต้านทานความร้อนลงถึง 50% เมื่อเปรียบเทียบกับแพคเกจรุ่น USC ธรรมดา

โตกียว–(BUSINESS WIRE)–10 กรกฎาคม 2018

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ไดโอดชอทท์กี้ตัวใหม่รุ่น “CUHS10F60” โดยอุปกรณ์ชิ้นนี้เหมาะสำหรับการแปลงไฟฟ้ากระแสสลับเป็นกระแสตรงและการป้องกันกระแสไฟไหลย้อนกลับสำหรับวงจรของแหล่งจ่ายไฟ เริ่มขยายการผลิตและพร้อมจัดส่งแล้ววันนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยไฟล์มัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20180710005424/en/

Toshiba: A new Schottky barrier diode product "CUHS10F60" in a new US2H package. (Photo: Business Wi ...

Toshiba: ผลิตภัณฑ์ไดโอดชอทท์กี้รุ่นใหม่ "CUHS10F60" ซึ่งประกอบอยู่ในแพคเกจ US2H ล่าสุด (รูปภาพ: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์ CUHS10F60 รุ่นใหม่นี้ต้านทานอุณภูมิต่ำสุดได้ถึง 105 °C/W[1]  ซึ่งอยู่ในแพคเกจ US2H ที่ได้รับการพัฒนามาใหม่ มาพร้อมรหัสแพคเกจ “SOD-323HE” ตัวต้านทานความร้อนในแพคเกจนี้ได้รับการพัฒนาให้ช่วยลดอุณหภูมิลงถึง 50% เมื่อเปรียบเทียบกับ USC รุ่นธรรมดา และเพื่อให้ง่ายต่อการกำหนดอุณหภูมิ

ด้วยการพัฒนาไปอีกขั้นในด้านสมรรถนะเมื่อเปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ในตระกูลเดียวกัน ไดโอดชอทท์กี้รุ่น CUS04[2] จะมีปริมาณกระแสไฟฟ้าที่จะไหลย้อนกลับสูงสุดลดลงประมาณ 60% ต่อ 40µA[3]  โดยมีส่วนทำให้เกิดการใช้พลังงานต่ำในอุปกรณ์ที่ต้องใช้พลังงานจากส่วนนี้ ยิ่งไปกว่านี้กระแสไฟฟ้าที่ไหลย้อนกลับยังเพิ่มขึ้นจาก 40V เป็น 60V โดยผลิตภัณฑ์ล่าสุดนี้ยังสามารถใช้ได้กับอุปกรณ์หลากหลายประเภทมากกว่ารุ่นเดิมอย่าง CUS10F40[4]

การใช้งาน

  • วงจรแหล่งจ่ายไฟ (การแปลงไฟฟ้ากระแสสลับเป็นกระแสตรงและการป้องกันกระแสไฟไหลย้อนกลับ และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ

  • แรงดันไบแอสตรงระดับต่ำ: VF=0.56 V (typ.) @IF=1.0 A
  • กระแสไฟฟ้าไหลย้อนกลับต่ำ: IR=40 μA(max)@VR=60 V
  • แพคเกจ surface mount ขนาดเล็ก: ขึ้นรูปด้วยความหนาแน่นสูงที่มาพร้อมกับแพคเกจ US2H(SOD-323HE)

ข้อมูลจำเพาะ

(@Ta=25°C)

หมายเลขรุ่น

กระแสไฟสูงสุด

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

ชื่อแพคเกจ

แรงดันไบแอสกลับ

VR

(V)

กระแสไฟในวงจรเรียงโดยเฉลี่ย

IO

(A)

แรงดันไบแอสตรง

VF

ทั่วไป

(V)

กระแสไฟที่ไหลย้อนกลับ

IR

สูงสุด

@VR=60
V

(μA)

@IF=0.5
A

@IF=1
A

ขนาดโดยทั่วไป

(มม.)

CUHS10F60

60

1.0

0.46

0.56

40

US2H

(SOD-323HE)

2.5×1.4

หมายเหตุ:
[1] ขึ้นรูปบนบอร์ด FR4 (25.4 มม. x 25.4 มม. X 1.6 มม. Cu Pad: 645mm2)
[2] กระแสไฟสูงสุด: VRRM=60V, IF(AV)=0.7A
[3] สภาพทั่วไปในการทดสอบ: กระแสไฟย้อนกลับ VR=60V
[4] กระแสไฟสูงสุด: VR=40V,IO=1.0A

ลูกค้าสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
แผนกขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาด้านการบริการและข้อมูลในการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

เรามีพนักงานจำนวน 19,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน

ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20180710005424/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

NO COMMENTS

LEAVE A REPLY