Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เปิดตัวกระบวนการ SOI ด้วยอัตราเสียงรบกวนต่ำสำหรับแอมพลิฟายเออร์ RF ที่ให้เสียงรบกวนต่ำ สำหรับสมาร์ทโฟน

0
156

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 มกราคม 2018

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนา "TaRF10" ซึ่งเป็นกระบวนการที่ทันสมัยสำหรับ TarfSOITM (Toshiba advanced RF SOI [1]) แอมพลิฟายเออร์ที่ก่อเสียงรบกวนต่ำ เหมาะสำหรับการใช้งานกับสมาร์ทโฟน (LNA)

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/

Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.: Appearance of LNA fabricated with TaRF10 (Photo: Busines ...

Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.: รูปแบบของ TaRF 10 ที่ประกอบเข้ากันแบบ LNA (รูปภาพ: Business Wire)

ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาความเร็วในการสื่อสารข้อมูลแบบพกพาที่เพิ่มขึ้นได้ขยายการใช้สวิตช์และตัวกรอง RF ในส่วนหน้าแบบอะนาล็อกของโทรศัพท์มือถือ ผลทำให้เกิดสัญญาณขาดหายระหว่างเสาอากาศและวงจรรับสัญญาณมากขึ้นซึ่งทำให้ความไวในการรับสัญญาณลดลง จึงมีการให้ความสำคัญกับ LNA ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ[2]  (NF) เพื่อชดเชยการสูญเสียสัญญาณและปรับปรุงความสมบูรณ์ของสัญญาณที่ได้รับมา

Toshiba Electronic Devices & Storage ได้ใช้กระบวนการ TaRF10 แบบใหม่ในการพัฒนาต้นแบบ LNA ที่จำกัดเสียงรบกวนอย่างยอดเยี่ยมอยู่ที่ 0.72dB และ ทำให้ได้ความดังระดับ [3] 16.9dB ที่ความถี่ 1.8GHz

อุปกรณ์แบบพกพาใช้สวิตช์ RF และ LNA จำนวนมากในวงจรรับสัญญาณทำให้ต้องลดขนาดวงจรเพื่อลดการใช้พื้นที่ของบอร์ด ปัจจุบันนี้ LNAs ใช้ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ที่ทำจาก ซิลิคอน – เจอร์เมเนียม – คาร์บอน (SiGe: C) และเป็นเรื่องยากที่จะผสมผสาน LNAs และ RF สวิทช์ที่สร้างขึ้นด้วยกระบวนการที่แตกต่างกันบนชิปเดียวกัน

กระบวนการ TaRF10 ใหม่สามารถรวม LNAs วงจรควบคุมและสวิตช์ RF ไว้บนชิปตัวเดียวเนื่องจากสามารถใช้งานร่วมกับกระบวนการ TaRF8 และ TaRF9 สำหรับสวิตช์ RF ซึ่งมีคุณสมบัติเด่นในด้าน RF ทั้งนี้ TaRF9 ทำให้การสูญเสียที่เกิดจากการแทรกของสัญญาณทและความผิดเพี้ยนของสัญญาณที่ต่ำกว่าของ TaRF8 ขณะนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage มีแผนจะนำ LNAs สู่ตลาดพร้อมสวิตช์ RF แบบบูรณาการ

Toshiba Electronic Devices & Storageได้พัฒนาไอซี RFโดยใช้บริษัทในเครือได้แก่ Japan Semiconductor Corporation เพื่อใช้เทคโนโลยี SOI-CMOS ล่าสุดและให้อำนาจในการจัดการด้านการผลิตทั้งหมดตั้งแต่การพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการ RF จนถึงการออกแบบและการผลิตเพื่อเปิดจัวผลิตภัณฑ์

เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาดยุคหน้าสำหรับสมาร์ทโฟน 5G บริษัทจะยังคงปรับปรุงลักษณะของกระบวนการ TarfSOITM ต่อไปและพัฒนา ไอซี RFด้วยเทคโนโลยีที่ทันสมัย
 

ตารางที่ 1. ข้อมูลจำเพาะหลักของ LNA

โหมด

LNA ใช้กระบวนการ TaRF 10

หน่วย

ขนาดชิป

0.70×0.43

Mm

ความถี่

1.8

GHz

ซัพพลายโวลเตจ

1.8

V

กระแสซัพพลาย

โหมดเกน

7.4

mA

โหมดบายพาส

50

μA

คอนโทรลโวลเตจ

โหมดเกน

1.8

V

โหมดบายพาส

0

V

เกน

โหมดเกน

16.9

dB

โหมดบายพาส

-1.6

dB

NF

โหมดเกน

0.72

dB

รีเทิร์นลอส (อิน)

โหมดเกน

8.4

dB

รีเทิร์นลอส (เอาท์)

โหมดเกน

12.1

dB

รีเวิรฺสไอโซเลชัน

โหมดเกน

26.5

dB

IP1dB

โหมดเกน

-8.9

dBm

IIP3

โหมดเกน

4.3

dBm

Notes:
[1] TarfSOITM (RF SOI ขั้นสูงของ Toshiba): SOI-CMOS (เซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนบนตัวฉนวนเสริมที่เป็นเอกลักษณ์ของเมทัลออกไซด์) ด้านหน้า
[2] อัตราเสียงรบกวน: อัตราส่วนของอัตราส่วนสัญญาณต่อเสียงรบกวนที่เอาท์พุทต่อ อัตราส่วนสัญญาณต่อเสียงรบกวนที่อินพุท อัตราเสียงที่ต่ำกว่าหมายถึงเครื่องขยายเสียงมีเสียงรบกวนที่ต่ำกว่าจึงดีกว่า
[3 เกน: อัตราส่วนของกำลังขาออกของเครื่องขยายเสียงกับกำลังขาเข้าในหน่วย dB

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

Customer Inquiries:
Small Signal Device Sales & Marketing Department
Tel: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

อ่านเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.comhttp://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department ฝ่ายการตลาดดิจิตัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

NO COMMENTS

LEAVE A REPLY